| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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.JPG)
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ULN2004AFWG(5,M) |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，工厂包装数量：2000，... |
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ULN2004AFWG(O,EL,M |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 10.5 kOhm 6 to 15V |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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ULN2004AFWG(O,M) |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 10.5 kOhm 6 to 15V |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2000，... |
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ULN2004AFWG(O,NEHZ |
Toshiba |
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2000 |
达林顿晶体管 7-Ch 500mA 50V NPN Darlington Trans |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，包装形式：Reel，... |
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ULN2003AFWG(5,EL,M |
Toshiba |
SOP-16 |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... |
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ULN2003AFWG(5,M) |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，工厂包装数量：2000，... |
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ULN2003AFWG(O,EL,M |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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ULN2003AFWG(O,M) |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
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ULN2003AFWG(O,NEHZ |
Toshiba |
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达林顿晶体管 Darlington 500mA 2.7kOhm 1000 HFE |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，包装形式：Reel，... |
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ULN2003AFWG(ONEHZA |
Toshiba |
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达林顿晶体管 INTERFACE DRIVER PB-FREE W / TTL |
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| 参数：制造商：Toshiba，... |
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ULN2003AFWG(SC,ELM |
Toshiba |
SOP-16 |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... |
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ULN2003AFWG(SC,M) |
Toshiba |
SOP-16 |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... |
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ULN2003APG(5,M) |
Toshiba |
PDIP-16 |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... |
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ULN2003APG(C,N,HZA |
Toshiba |
DIP-16 |
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达林顿晶体管 7-Circuit 2.7kOhm 500mA 50V VCE 1K HFE |
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| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，配置：Array，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.6 V，功率耗散：1.47 W，最大工作温度：... |
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ULN2003APG(O,M) |
Toshiba |
DIP-16 |
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达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，功率耗散：0.76 W，最大工作温度：+ 85 C，安装... |
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ULN2003APG(O,NHZ) |
Toshiba |
DIP-16 |
391 |
达林顿晶体管 7-Ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，功率耗散：0.76 W，最大工作温度：+ 85 C，安装... |
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ULN2003APG(SC,M) |
Toshiba |
PDIP-16 |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... |
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TD62001AFG(5,S) |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，工厂包装数量：50，... |
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TD62001AFG(5,S,EL) |
Toshiba |
SOP-16 |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOP-16，工厂包装数量：2000，... |
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TD62001APG(5,J,S) |
Toshiba |
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达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC |
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| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，工厂包装数量：25，... |
