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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFA092213FL V5 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 220W 920-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：50 ... |
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PTFA092213FL V5 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 220W 920-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：50 ... |
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PTFA142401ELV4 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.45 GHz to 1.5 GHz... |
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PTFA142401ELV4R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.45 GHz to 1.5 GHz... |
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PTFA142401FL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2 A，闸/源击穿电压：12 V... |
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PTFA142401FLV4 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.45 GHz to 1.5 GHz... |
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PTFA180701E V4 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... |
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PTFA180701E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... |
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PTFA180701F V4 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA180701F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA180701FV4FWSA1 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|1.84GHz|16.5dB|28 V|10μA|-|550 mA|60W|... |
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PTFA181001E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA181001F V4 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... |
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PTFA181001F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1805-1880 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1.88 GHz... |
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PTFA181001GLV1 |
Infineon Technologies |
PG-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA181001GLV1R250 |
Infineon Technologies |
PG-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA181001HLV1 |
Infineon Technologies |
PG-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA181001HLV1R250 |
Infineon Technologies |
PG-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 1... |
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PTFA190451E V1 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 45 W |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to ... |
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PTFA190451E V4 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GH... |
