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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFA091201HLV1 |
Infineon Technologies |
PG-64248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... |
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PTFA091201HLV1R250 |
Infineon Technologies |
PG-64248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... |
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PTFA091203EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 LDMOS 120W 920-960MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17 dB，输出功率：120 W... |
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PTFA091203EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 LDMOS 120W 920-960MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17 dB，输出功率：120 W... |
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PTFA091503EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1250 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA091503EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1250 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA092201E V4 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201EV1 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... |
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PTFA092201F V4 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201FV1 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... |
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PTFA092211EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... |
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PTFA092211EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... |
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PTFA092211FL V4 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... |
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PTFA092211FL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... |
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PTFA092213EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA092213EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA092213FL V4 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA092213FL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... |
