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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFA080551E V1 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|960MHz|18.5dB|28 V|10μA|-|600 m... |
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PTFA080551E V4 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA080551E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 55 W 869-960 MHZ |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA080551F V4 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA080551F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 55 W 869-960 MHZ |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA080551FV1 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 9... |
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PTFA081501E V1 |
Infineon Technologies |
H-30248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|900MHz|18dB|28 V|10μA|-|950 mA|150W|... |
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PTFA081501FV1 |
Infineon Technologies |
H-31248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：864 MHz to 9... |
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PTFA082201E V4 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... |
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PTFA082201E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 869-894 MHZ |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... |
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PTFA082201EV1 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 8... |
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PTFA082201F V4 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... |
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PTFA082201F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 221 W 869-894 MHZ |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... |
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PTFA082201FV1 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 8... |
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PTFA091201E V4 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA091201E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA091201F V4 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA091201F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA091201GLV1 |
Infineon Technologies |
PG-63248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... |
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PTFA091201GLV1R250 |
Infineon Technologies |
PG-63248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... |
