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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFA041501F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA041501GL V1 R250 |
Infineon Technologies |
PG-63248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|470MHz|21dB|28 V|1μA|-|900 mA|150W|65 ... |
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PTFA041501HL V1 R250 |
Infineon Technologies |
PG-64248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|470MHz|21dB|28 V|1μA|-|900 mA|150W|65 ... |
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PTFA043002E V1 |
Infineon Technologies |
H-30275-4 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|800MHz|16dB|32 V|10μA|-|1.55 A|100W|65 V|表... |
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PTFA070601E V4 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA070601E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA070601F V4 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA070601F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA071701E V4 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... |
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PTFA071701E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... |
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PTFA071701F V4 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... |
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PTFA071701F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... |
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PTFA072401EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA072401EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA072401FL V4 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA072401FL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... |
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PTFA072401FL V5 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：PTFA072401FLV5XWSA1 SP000983704，... |
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PTFA072401FL V5 R250 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：PTFA072401FLV5R250XTMA1 SP000983706，... |
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PTFA072401FLV5R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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PTFA072401FLV5XWSA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
