| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
PTFB213004F V2 |
Infineon Technologies |
H-37275-6 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2.4 A，闸/源击穿电压：10... |
|
PTFB213004F V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-37275-6/2 |
|
射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz |
|
| 参数：制造商：Infineon，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：60 W，汲极/源极击穿电压：65... |
|
PTFB241402F V1 |
Infineon Technologies |
H-37248-4 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1200 mA，闸/源击穿电压：... |
|
|
PTFB241402F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-4 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1200 mA，闸/源击穿电压：... |
|
|
FA041501GLV1XP |
Infineon Technologies |
|
|
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，包装形式：Tray，... |
|
|
FA041501HLV1XP |
Infineon Technologies |
|
|
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，包装形式：Tray，... |
|
BG 5412K H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：24 ... |
|
|
BG 5120K H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：23 ... |
|
|
BG 3430R H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：25 ... |
|
|
BG 3123 H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：25 ... |
|
|
BG 3130R H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：24 ... |
|
|
BG 3130 H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：24 ... |
|
|
BG 3123R H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-363 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：25 ... |
|
|
BF 2040W H6814 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1 GHz，增益：23 ... |
|
|
BF 3020W E6327 |
Infineon Technologies |
|
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BF3020WE6327XT，... |
|
BF 2030W H6814 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1 GHz，增益：23 ... |
|
|
BF 2030W H6824 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1 GHz，增益：23 ... |
|
|
BF 5020W H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：2... |
|
|
BF 5030W H6327 |
Infineon Technologies |
SOT-343 |
|
射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFETS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：800 MHz，增益：2... |
