| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFB192503EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.9 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB192503FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.9 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB192503FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.9 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB192503FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1930-1990 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GHz，增益：19 dB，输出功率：50 ... |
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PTFB192503FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1930-1990 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GHz，增益：19 dB，输出功率：50 ... |
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PTFB193404F V1 |
Infineon Technologies |
H-37275-6-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GHz，增益：19 dB，输出功... |
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PTFB193404F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37275-6-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.93 GHz to 1.99 GHz，增益：19 dB，输出功率：100 W... |
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PTFB201402FC V1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：PTFB201402FCV1XWSA1 SP000916572，... |
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PTFB201402FC V1 R250 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：PTFB201402FCV1R250XTMA1 SP000916574，... |
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PTFB201402FCV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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PTFB201402FCV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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PTFB210801FA V1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 H-37265-2-1 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：FB210801FAV1XP PTFB210801FAV1XWSA1 SP000911262，... |
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PTFB210801FA V1 R250 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 H-37265-2-1 |
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| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：FB210801FAV1R25XT PTFB210801FAV1R250XTMA1 SP000911264，... |
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PTFB210801FAV1R250XTMA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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PTFB210801FAV1XWSA1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 |
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| 参数：制造商：Infineon，... |
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PTFB211501E V1 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211501E V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211501F V1 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211501F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211503EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
