| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTMA210452FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34265-8 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.9 GHz to 2.2 GHz，... |
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PTMA210452EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33265-8 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.9 GHz to 2.2 GHz，... |
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PTMA180152MV1 |
Infineon Technologies |
PG-DSO-20-63 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2... |
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PTMA080152M V1 |
Infineon Technologies |
PG-DSO-20-63 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.7 GHz to 1 GHz，增益... |
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PTMA080302M V1 |
Infineon Technologies |
PG-DSO-20-63 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.7 GHz to 1 GHz，增益... |
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PTMA180402M V1 |
Infineon Technologies |
PG-DSO-20-63 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2.1 GHz，... |
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PTMA210152M V1 |
Infineon Technologies |
PG-DSO-20-63 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2.2 GHz，... |
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PTF080101SV1 |
Infineon Technologies |
32259 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，闸/源击穿电压：- 0.5 V,... |
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PTF140451E V1 |
Infineon Technologies |
H-30265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|1.5GHz|18dB|28 V|1μA|-|55... |
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PTF140451F V1 |
Infineon Technologies |
H-31265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|1.5GHz|18dB|28 V|1μA|-|55... |
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PTF141501E V1 |
Infineon Technologies |
H-30260-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|1.5GHz|16.5dB|28 V|1μA|-|1.5 A|150W|... |
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PTF180101S V1 |
Infineon Technologies |
H-32259-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|1.99GHz|19dB|28 V|1μA|-|180 mA|1... |
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PTF180301EV1 |
Infineon Technologies |
30265 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，... |
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PTF180301EV1R250 |
Infineon Technologies |
H-30265 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.99 GHz，增益：... |
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PTF210451E V1 |
Infineon Technologies |
H-30265-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 TRANS MOSFET N-CH 65V |
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| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.17GHz|14dB|28 V|1μA|-|500 mA|45W|6... |
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PTF210451FV1 |
Infineon Technologies |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，包装形式：Tray，... |
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PTF240101S V1 |
Infineon Technologies |
H-32259-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W 2400-2700 MHz |
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| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.68GHz|16dB|28 V|1μA|-|180 mA|1... |
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PTFA041501E V4 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA041501E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
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PTFA041501F V4 |
Infineon Technologies |
H-37248-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... |
