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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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30TST68 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 680pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：680 pF，容差：10 %，电压额定值：3 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vol... |
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30GAT47 |
Vishay |
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瓷片电容器 USE 75-564R30GAT47 |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：470 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vol... |
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30GAT50 |
Vishay |
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瓷片电容器 500pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：500 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
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30GASS10 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 0.01uF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.01 uF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
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30GASS20 |
Vishay |
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瓷片电容器 USE 75-564R30GASS20 |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.02 uF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
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30GASS33 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 0.033uF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.033 uF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... |
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30GASS40 |
Vishay |
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瓷片电容器 CER RAD 3KV CAP |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.04 uF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，端接类型：Ra... |
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30GAT10 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 100pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：100 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vol... |
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30GAT27 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 270pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：270 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vol... |
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30GAT33 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 330pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：330 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vol... |
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30DKD25 |
Vishay |
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瓷片电容器 RADIAL CERAMIC DISC |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2500 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 30 C to + 85 C，端接类型：Sc... |
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30DKD47 |
Vishay |
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瓷片电容器 4700PF 30VDC +80-20% |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：4700 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 30 C to + 85 C，损耗因数 DF... |
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30DKT5 |
Vishay |
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瓷片电容器 30KV 500pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：500 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 30 C to + 85 C，损耗因数 DF：... |
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30DKT50 |
Vishay |
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瓷片电容器 30KV 500pF Y5U |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：500 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 30 C to + 85 C，损耗因数 DF：... |
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30GAD10 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 0.001uF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1000 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
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30GAD15 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 0.0015uF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1500 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
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30GAD18 |
Vishay |
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瓷片电容器 1800pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1800 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... |
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30GAD20 |
Vishay |
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瓷片电容器 2000pF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2000 pF，容差：20 %，电压额定值：30 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... |
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30GAD22 |
Vishay |
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瓷片电容器 U 75-564R30GAD22 |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2200 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
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30GAD27 |
Vishay |
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瓷片电容器 3000V 20% 0.0027uF |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2700 pF，容差：20 %，电压额定值：3 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... |
