Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI1303EDL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 20V 0.72A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1303EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 20V 0.72A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1304BDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 30V 0.9A 0.37W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1304DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 25V 0.75A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1304DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 25V 0.75A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1305DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI1305DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI1305EDL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI1305EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 8V 0.92A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI1307DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1307DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-3 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1307EDL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1307EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 12V 0.91A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1315DL-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-3 | MOSFET 8V .9A .4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI1315DL-GE3，... | ||||||
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SI1330EDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | 38,828 | MOSFET 60V 0.25A 0.31W 3.0ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1400DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V 1.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1400DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 20V 1.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1401EDH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET -12V 34mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻汲... | ||||||
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SI1402DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 3.4A 0.95W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1403BDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | 3,732 | MOSFET 20V 1.5A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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