Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI1013X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.35A 0.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1013X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89，SOT-490 | 29,389 | MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1016X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 20V 0.6/0.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6... | ||||||
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SI1016X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.6/0.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6... | ||||||
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SI1016X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 2,266 | MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6... | ||||||
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SI1012CR-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 337 | MOSFET 20V .63A .24W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI1012CR-GE3，... | ||||||
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SI1012R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1012R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1012R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 255,662 | MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1012X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1012X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1012X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89，SOT-490 | 5,089 | MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1300BDL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 20V 0.4A 0.2W 0.85ohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1300DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323 | MOSFET 20V 0.25A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：250 mA，电... | ||||||
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SI1301DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET Use 781-SI1303DL | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：0.18 A，电... | ||||||
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SI1302DL-T1 | Vishay/Siliconix | SC-70-3 | MOSFET 30V 0.64A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1302DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | 5,969 | MOSFET 30V 0.64A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1303DL-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-323-3 | MOSFET 20V 0.72A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1303DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-70，SOT-323 | MOSFET 20V 0.72A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI1303DL-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-3 | MOSFET 20V 0.72A 0.34W 430mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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