Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI1026X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1025X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-6 | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1025X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 60V 0.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1025X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 99,130 | MOSFET 60V 500mA 280mW 4.0ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1024X-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-563-6 | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1024X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1024X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 160,202 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1023X-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-563-6 | MOSFET 20V 0.35A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1023X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.35A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1023X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | 160 | MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1022R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 60V 0.33A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1022R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 60V 0.33A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1022R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 2,505 | MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1021R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 60V 0.19A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1021R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 60V 0.19A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1021R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 59,494 | MOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1013R-T1 | Vishay/Siliconix | SC-75A-3 | MOSFET 20V 0.35A 0.15W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1013R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.35A 0.15W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1013R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75，SOT-416 | 130,641 | MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SI1013X-T1 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.35A 0.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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