Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4420BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI1037X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.84A 0.21W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1037X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 0.84A 0.21W 195mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1039X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1039X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 0.95A 0.21W 165mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1040X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET LOAD SWITCH W/ LEVEL SHIFT | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，漏极连续电流：0.43 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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SI1040X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 1,825 | MOSFET N- & P-Ch MOSFET 8V 890mohm @ 2.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，漏极连续电流：0.43 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... | ||||||
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SI1046R-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 0.606A 0.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1046R-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-75A | MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1046X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 0.606A 0.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1046X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89-3 | MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1050X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 8.0V 1.34A 236mW 86mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI1050X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 40,680 | MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI1051X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI1051X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 8.0V 1.2A 0.236W 122 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SI1054X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 1.32A 0.236W 95mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1054X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 12V 1.32A 236mW 95mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1056X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.32A 236mW 89mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1056X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.32A 0.236W 89mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI1058X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89（SOT-563F） | MOSFET 20V 1.3A 236mW 91mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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