Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4392ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 21.5A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4392DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 12.5A 3.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4392DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 12.5A 3.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4394DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 15A 2.7W 8.25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4396DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 16A 5.4W 11.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4396DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 378 | MOSFET 30V 16A 5.4W 11.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4398DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 25A 3.5W 2.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4398DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 25A 3.5W 2.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4401BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 18,754 | MOSFET 40V 10.5A 0.014Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4401BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5,595 | MOSFET 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 40V 16.1A P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，漏极连续电流：- 16.1 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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SI4401DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 10.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4401DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 10.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8.7 A，电... | ||||||
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SI4401DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 10.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8.7 A，电... | ||||||
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SI4401DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 10.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4401DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 10.5A 3.0W 15.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4403BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4403BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 9.9A 2.5W 17mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4403DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：6.5 A，电阻... | ||||||
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SI4403DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：6.5 A，电阻... | ||||||
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