Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4430DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 23A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4430DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 23A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23 A，电阻... | ||||||
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SI4430DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 23A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4421DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 14A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4421DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12,163 | MOSFET 20 Volt 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4421DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15,994 | MOSFET 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4423DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET -20V -8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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SI4423DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1,910 | MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4423DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4425BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3,674 | MOSFET 30V 11.4A 2.5W 12mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 71,032 | MOSFET 30V 19.7A 5.7W 9.8mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI4425DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4425DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲... | ||||||
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SI4425DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4426DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4426DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4426DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4426DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.5A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4426DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 8.5A 2.5W 25mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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