Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI3465DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3467DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 5.0A 2.0W 54 mohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3467DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3469DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3469DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 2,980 | MOSFET 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3471CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3471CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3471DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 6.8A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3471DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3473CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 12V 8.0A 4.2W 22mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 12V 8.0A 4.2W 22mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3473DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 7.9A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3473DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 12V 7.9A 2.0W 19mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3473DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 12V 7.9A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3475DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3475DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3477DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 78 | MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：- 8 A... | ||||||
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SI3867DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 5.1A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3867DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3867DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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