Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4965DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/... | ||||||
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SI4965DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/... | ||||||
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SI4965DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI4965DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 8V 8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI4965DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI4966DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：7.1 A，电... | ||||||
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SI4966DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：7.1 A，电... | ||||||
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SI4966DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4966DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4966DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4967DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：7.5 A，电阻... | ||||||
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SI4967DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4967DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：7.5 A，电阻... | ||||||
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SI4967DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4967DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 7.5A 2.0W 23mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4971DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.2A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI4972DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4972DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10.8/7.2A 14.5/26.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4973DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET P-CHANNEL 25V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SI4973DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.6A 2.0W 23mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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