Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4948EY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948EY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4949EY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60/30V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V, 30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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SI4952DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 25V 8.0A 2.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4952DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4953ADY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4953ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4953ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.7 A，电... | ||||||
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SI4953ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4953ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 3.9A 2.0W 53mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4953DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.9 A，电... | ||||||
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SI4953DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 4.9 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4955DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30/20V 5.0/7.0A 5.4/2.7mohm@10/4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4963BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 7,822 | MOSFET 20V 6.2A 2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.5A 2.0W 32mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4963DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4963DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：6.2 A，电... | ||||||
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SI4963DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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