Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4944DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4944DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12.2A 2.3W 9.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4946BEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 6.5A 3.7W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4946EY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.5 A，电... | ||||||
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SI4946EY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4946EY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4946EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4947ADY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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SI4947ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4947ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4947ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4947ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 3.9A 2.0W 80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4947DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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SI4947DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3 A，电阻汲... | ||||||
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SI4947DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 3.5 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948BEY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948BEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 3.1A 0.12Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4948EY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 3.1A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.1 A，电... | ||||||
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