Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 14,775 | MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,712 | MOSFET 30V 5.8A 2.3W 40mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4936DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.8 A，电... | ||||||
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SI4936DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4940DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.2 A，电... | ||||||
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SI4940DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.2 A，电... | ||||||
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SI4940DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.2 A，电... | ||||||
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SI4940DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.7A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4940DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4941EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4942DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 40V 7.4A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4942DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4942DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4943BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.4A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4943BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4943CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 19.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 8.0A 3.1W 19.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4943DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.4A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.3 A，电... | ||||||
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SI4943DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 8.4A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.3 A，电... | ||||||
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SI4943DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20 Volt 8.4 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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