Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4925DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4925DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4925DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4926DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.3/10.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.3 A, 7.5 ... | ||||||
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SI4927DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4927DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.4 A，电... | ||||||
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SI4927DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.4 A，电... | ||||||
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SI4927DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4931DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 8.9A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4931DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,478 | MOSFET 12V 8.9A 2.0W 18mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4932DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 89 | MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4933DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 9.8A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4933DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4933DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 9.8A 2.0W 14mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4936ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4936ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.9 A，电... | ||||||
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SI4936ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.9 A，电... | ||||||
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SI4936ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 21,858 | MOSFET 30V 5.9A 2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4936ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4936BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 22,869 | MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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