Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4916DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4920DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4920DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.9 A，电... | ||||||
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SI4920DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4920DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9A 2.0W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4922BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 12,300 | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4922BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 8 | MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4922DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：6.7 A，电... | ||||||
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SI4922DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4922DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4922DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4923DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 8.3A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4923DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.3A 2.0W 21mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4923DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.3A 2.0W 21mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4924DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.7/9A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.3 A, ... | ||||||
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SI4925BDY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.3 A，电... | ||||||
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SI4925BDY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.3 A，电... | ||||||
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SI4925BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4925BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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