Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4814BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4814DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7/7.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.5 A, 5.7 ... | ||||||
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SI4814DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7/7.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.5 A, 5.7 ... | ||||||
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SI4814DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 7.0/7.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4816BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET +30/+30V 7.8/11.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4816DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4816DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4816DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.3 A, ... | ||||||
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SI4816DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/10A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4816DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/10A 1.4/2.4W 22/13mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4818DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4818DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4818DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.5 A, 7 A，... | ||||||
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SI4818DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/9.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4818DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.3/9.5A 22/15.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4820DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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SI4820DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4820DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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SI4820DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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