Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4800DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4800DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4800DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4800DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4802DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4802DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.1 A，电... | ||||||
|
|
SI4802DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.1 A，电... | ||||||
|
|
SI4802DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4803DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5.0A 3.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4803DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5.0A 3.0W 65mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4804BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.5A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI4804BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4804BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4804CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4804DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4804DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.7 A，电... | ||||||
|
|
SI4804DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.7 A，电... | ||||||
|
|
SI4804DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4806DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.7/2A 2.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.7 A, ... | ||||||
|
|
SI4807DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6/0.9A 2.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
61/219 首页 上页 [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] 下页 尾页
