Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4626DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 30A 6.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI4628DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 38A 7.8W 3.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI4630DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4630DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,698 | MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4632DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4632DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4634DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4,945 | MOSFET 30V 24.5A 5.7W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
SI4634DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4636DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 17A 4.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4636DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 17A 4.4W 8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4638DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4638DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4642DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4642DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4646DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4646DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4650DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4652DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 30A 6.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4652DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
|
|
SI4654DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 25V 28.6A 5.9W 4.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
59/219 首页 上页 [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] 下页 尾页
