Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4562DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4563DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4563DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16/25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4564DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 40 V，漏极连续电流：10 A, - 9.2 A，... | ||||||
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SI4565ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET +40/-40V 6.6/9.0A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4565ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 6.6/4.5A 3.1W 39/54mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4567DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4567DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 5.0/4.4A 60/85mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4569DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4569DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 6.0A 3.1/3.2W 27/29mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4599DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40/40V 5.3/11.8A 3.0/3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4618DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) W/SCHOTTKY | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4618DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8/15.2A DUAL NCH MOSFET w/Shottky | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：6.7 A, ... | ||||||
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SI4620DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 7.4A 3.1W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4620DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 7.4A 3.1W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4621DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 6.2A 3.1W 5.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SI4622DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4622DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4626ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4626ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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