Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4544DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4544DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.5/5.7A 2.4W 35/45mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4554DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V, - 40 V，漏极连续电... | ||||||
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SI4558DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4558DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4558DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6... | ||||||
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SI4558DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6A 2.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4559ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N-AND P-CH 60V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4559EY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4... | ||||||
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SI4559EY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4559EY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4... | ||||||
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SI4559EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4559EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4561DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 6.8/7.2A 35.5/35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4561DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET N/P-Ch MOSFET 40V 35/35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4562DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：7... | ||||||
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SI4562DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI4562DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：7... | ||||||
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SI4562DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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