Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4466DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 13.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4466DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 13.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：9.5 A，电... | ||||||
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SI4466DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 13.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4466DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 13.5A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4467DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4467DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲... | ||||||
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SI4467DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 12A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4470EY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 12.7A 3.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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SI4470EY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 12.7A 3.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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SI4470EY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 12.7A 1.85W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4470EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4470EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4472DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4472DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4473DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 14V 13A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：14 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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SI4473DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 14V 13A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：14 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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SI4473DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 14 Volt 13 Amp 3.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：14 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4477DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.2mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI4480DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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SI4480DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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