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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TN2404KL-TR1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA |
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MOSFET 240V 0.3A 0.8W |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：257 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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TN2404K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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MOSFET 240V 0.2A 4.0Ohm |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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TN2404K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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MOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：TN2404K-GE3，... |
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TN2410L |
Vishay/Siliconix |
TO-92 |
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MOSFET 240V 0.18A 0.6W |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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TN2460L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 240V 0.075A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电... |
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TN2460T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 240V 0.051A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电... |
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TP1220L |
Vishay/Siliconix |
TO-92 |
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MOSFET 120V 20 OHM |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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TC0205AD-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-363-6 |
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MOSFET 20V .25/.18A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电... |
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SY2328DS-T1 |
Vishay/Siliconix |
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MOSFET MOSFET |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Reel，... |
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SUU06N10-225L |
Vishay/Siliconix |
TO-251 |
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MOSFET 100V 6A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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SUU10P06-280L |
Vishay/Siliconix |
TO-251-3 |
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MOSFET 60V 10A 37W |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SUU15N15-95 |
Vishay/Siliconix |
TO-251 |
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MOSFET 150V 15A 62W |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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SUU40N06-25L |
Vishay/Siliconix |
TO-251 |
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MOSFET 60V 40A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：40 A，安装风格... |
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SUU50N03-07 |
Vishay/Siliconix |
TO-251 |
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MOSFET 30V 50A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SUU50N03-10P |
Vishay/Siliconix |
TO-251 |
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MOSFET 30V 50A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SUU50N03-11 |
Vishay/Siliconix |
TO-251 |
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MOSFET 30V 50A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SUV85N10-10-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-220-3 |
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MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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SUY50N03-07AP |
Vishay/Siliconix |
TO-251-3 |
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MOSFET 30V 25A 88W |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SUM09N20-270-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET 200V 9.0A 60W 270mohm @ 10V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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SUM110N03-03P-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET 30V 110A 375W 2.6mohm @ 10V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
