Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4892DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.4A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4892DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30 Volt 12.4A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4892DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 12.4A 3.1W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4894BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 11,429 | MOSFET 30V 12V 1.4W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4894BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4894DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4894DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12.5 A，... | ||||||
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SI4894DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12.5 A，... | ||||||
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SI4894DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4896DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9.5 A，电... | ||||||
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SI4896DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4896DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9.5 A，电... | ||||||
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SI4896DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 80V 9.5A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4896DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 80V 9.5A 3.1W 16.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4900DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 5,400 | MOSFET 60V 5.3A 3.1W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4900DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,500 | MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4904DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 11,497 | MOSFET 40V 8.0A 3.25W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4904DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 9,731 | MOSFET 40V 8.0A 3.25W 16mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4906DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SI4906DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 40V 6.6A 3.1W 39mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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