Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4862DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4862DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 16V 25A 3.5W 3.3mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4864DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 25A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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SI4864DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 25A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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SI4864DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 25A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4864DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20 Volt 25 Amp 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4864DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 1,675 | MOSFET 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4866BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 21.5A 4.45W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4866BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 21.5A 4.45W 5.3mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4866DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET N-Ch 12 Volt 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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SI4866DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | 780 | MOSFET 12V 17A 1.6W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4866DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7,158 | MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4866DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4872DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4872DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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SI4872DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻... | ||||||
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SI4872DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | 11 | MOSFET 30V 15A 3.1W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4874BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10,837 | MOSFET 30V 16A 0.007Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4874BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 16A 3.0W 7.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4874DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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