Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4850EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 60V 8.5A 3.3W 22mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4852DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4852DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8.7 A，电... | ||||||
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SI4852DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8.7 A，电... | ||||||
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SI4852DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4854DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：5.1 A，电... | ||||||
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SI4854DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 6.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：5.1 A，电... | ||||||
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SI4854DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4856ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 15A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4858DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 20A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻... | ||||||
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SI4858DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 20A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻... | ||||||
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SI4858DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 20A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4858DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4858DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4860DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 16A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：11 A，电阻... | ||||||
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SI4860DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 16A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4860DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 16A 3.5W 8.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4862DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 16V 25A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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SI4862DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 16V 25A 3.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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SI4862DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 16V 25A 1.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：16 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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