| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TP0610KL-TR1 |
Vishay/Siliconix |
TO-92 |
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MOSFET 60V 0.27A 0.8W 10ohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... |
to-226_straightlead_sml.jpg)
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TP0610KL-TR1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA（TO-92） |
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MOSFET 60V 0.27A 0.8W 10ohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... |
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TP0610K-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 60V 0.185A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... |
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TP0610K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
522,834 |
MOSFET 60V 0.185A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... |
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TP0610K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
66,466 |
MOSFET 60V 0.185A 350mW 10ohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：0.185 A，电阻汲极... |
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TP0610L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 60V 0.18A 0.8W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.18 A，... |
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TP0610L-TR1 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 60V 0.18A 0.8W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.18 A，... |
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TP0610T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 60V 0.12A 0.36W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.12 A，... |
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TP2020L |
Vishay/Siliconix |
TO-92 |
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MOSFET 200V 20 OHM |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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TN0201KL-TR1-E3 |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 20V 0.64A 0.35W 1.4ohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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TN0201K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 20V 0.42A 1.0Ohm |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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TN0201L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 20V 0.64A 0.8W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.64 A，... |
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TN0201T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 0.39A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.39 A，... |
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TN0205AD-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-363-6 |
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MOSFET 20V 0.25A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：0.25 A，电... |
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TN0205A-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-323 |
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MOSFET USE 781-SI1302DL |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：250 mA，电... |
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TN0401L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 40V 0.64A 0.8W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.64 A，... |
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TN0601L |
Vishay/Siliconix |
TO-226AA-3 |
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MOSFET 60V 0.47A 0.8W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.39 A，... |
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TN0200K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 20V 0.73A 0.35W 0.4ohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... |
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TN0200T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 1.2A 0.35W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：0.73 A，电... |
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TN0200TS |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 1.2A 1W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1.2 A，电阻... |
