Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI6967DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 8.0V 5.0A 1.1W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
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SI6968ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.2A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.2A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968BEDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968BEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 1,714 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968BEDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 38,400 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6968EDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6969BDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 4.6A 0.83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6969BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 0.83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6969BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6969DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 4.6A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6969DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6969DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 4.6A 1.1W 34mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6973DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.8A 4.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6973DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.8A 4.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6973DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.8A 1.14W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6975DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 5.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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