Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI6926AEDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 14 V，漏极... | ||||||
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SI6926DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：+/- 4 A，... | ||||||
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SI6926EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | MOSFET 20V 4A 1W | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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SI6928DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6928DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 4A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6928DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6933DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.5A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6933DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 3.5A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6933DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 3.5A 1.0W 45mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6943BDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 2.5A 0.80W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6943BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6943BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 12V 2.5A 1.1W 80mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6943DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 12V 2.5A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：+/- 2.... | ||||||
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SI6946DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 2.8A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：2.8 A... | ||||||
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SI6953DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.9 A，电... | ||||||
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SI6954ADQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.4A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6954ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 12,000 | MOSFET 30V 3.4A 1W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 53mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6954DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.9A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6954DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.9A 1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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