Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SQD50N05-11L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 50V 50A 75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SQD50N06-07L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQD50N06-09L-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD50P04-09L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 50A 136W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQD50P04-13L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 50A 83W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQD50P06-15L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 50 A，电阻汲... | ||||||
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SQR40N10-25-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 100V 40A 136W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQR50N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 50A 83W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQR50N06-07L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQS400EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 40V 16A 62.5W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQS401EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 16 A，电阻汲... | ||||||
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SQS460EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 8A 39W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SQS462EN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1212-8 | MOSFET 60V 8A 33W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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SQM60N06-15-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 60A 100W 15mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SD214DE-2 | Vishay/Siliconix | TO-206AF | MOSFET 30V 50mA 0.3W 45ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 40 V... | ||||||
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SI6404DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 11A 1.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6404DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 30V 11A 1.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6404DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 30V 11A 1.75W 9.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6410DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 7.8A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI6410DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 7.8A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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