Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SQ7415AEN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 16A 53W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 16 A，电阻汲... | ||||||
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SQ7415EN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 60V 5.7A 1.5W 65mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ9945AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ9945BEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 5.4A 4W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD15N06-42L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 15A 37W 42mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD19P06-60L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 20A 46W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 20 A，电阻汲... | ||||||
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SQD23N06-31L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD25N06-22L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 60V 25A 62W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQD25N06-35L-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 60V 25A 50W 35mohm @ 10V | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2000，... | ||||||
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SQD25N15-52-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 150V 25A 136W 5.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQD35N05-26L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 35A 50W 20mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD40N04-10A-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 40V 40A 71W 10mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD40N06-14L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 55V 40A 75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SQD40N06-25L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 30A 75W 22mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD40N10-25-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：2.5 V，漏极连续... | ||||||
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SQD45N05-20L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD45P03-12-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 50A 71W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 50 A，电阻汲... | ||||||
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SQD50N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | 573 | MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 120 V，漏... | ||||||
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SQD50N03-09-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252 | MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQD50N04-09H-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 40V 50A 83W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/... | ||||||
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