Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SQ3426EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 60V 7A 5W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：2.5 V，漏极连续电... | ||||||
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SQ3427EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 60V 5.5A 5W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ3442EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 4.3A 1.7W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SQ3456BEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 240 | MOSFET 30V 7.8A 4W N-Ch Automotive | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ3456EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 8A 4W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 230 | MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SQ3469EV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 8A 5W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ4401DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | 10000 | MOSFET 40V 8.7A 1.8W 14mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 17.3A 7.14W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ4410EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 15A 5W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQ4431EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 10.8A 6W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 10.8 A，电... | ||||||
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SQ4470EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 16A 7.1W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQ4840EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 40V 10A 1.56W 9.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ4850EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 12A 6.8W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8A 4.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：7.2 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQ4936EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 3.3W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQ4942EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 40V 8A 4.4W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQ4946AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 7A 4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SQ4946EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 60V 4.5A 2.4W 55mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ7414EN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | 7605 | MOSFET 60V 5.6A 1.5W 25mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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