Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 32A 83W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQJ456EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 100V 32A 83W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQJ460EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 32A 83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SQJ461EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 30A 83W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 30 A，电阻汲... | ||||||
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SQJ463EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 30 A，电阻汲... | ||||||
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SQJ469EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 80V 32A 100W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 32 A，电阻汲... | ||||||
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SQJ840EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 30V 30A 46W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQJ844EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 30V 8A 48W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQJ848EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQJ850EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/... | ||||||
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SQJ912EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQJ941EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 30V 8A 55W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 8 A，电阻汲极... | ||||||
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SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L Dual | MOSFET 60V 8A 34W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SQJ962EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 60V 8A 25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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SQJ964EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 60V 8A 35W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQJ970EP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8L | MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQM85N03-06P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 30V 60A 100W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQM85N10-10-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM85N15-19-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM100N04-3M5-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 40V 100A 157W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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