Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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VN2406D | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 240V 1.12A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.12 A... | ||||||
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VN2406L | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.18 A... | ||||||
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VN2410L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.18 A... | ||||||
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VN2410LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 240V 0.19A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.19 A... | ||||||
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VN0605T | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 60V 0.18A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.18 A，... | ||||||
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VN0606L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.33A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.39 A，... | ||||||
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VN0610L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：- 0.3 V, 15 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
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VN0610LL | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.28A 0.32W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.28 A，... | ||||||
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VN0300L | Vishay/Siliconix | TO-92（TO-226） | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.64 A，... | ||||||
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VN0300LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 30V 0.67A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.67 A，... | ||||||
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VN0808L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 80V 0.3A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.3 A，电... | ||||||
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VN0808LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 80V 0.3A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.33 A，... | ||||||
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VN10KC-T1 | Vishay/Siliconix | SC-59 | MOSFET 60V 0.31A 0.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+ 15 V, - 0.3 V，漏极连续电流：... | ||||||
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VN10KE | Vishay/Siliconix | TO-206AC-3 | MOSFET 60V 5 OHM | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：- 0.3 V, 15 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
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VN10KLS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 60V 0.31A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：- 0.3 V, 15 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
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VN10LE | Vishay/Siliconix | TO-52 | MOSFET 60V 5 OHM | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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VN10LE-E3 | Vishay/Siliconix | TO-206AC-3 | MOSFET 60V 5 Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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VN10LLS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 60V 0.32A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.32 A，... | ||||||
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VN66AFD | Vishay/Siliconix | TO-220SD-3 | MOSFET 60V 1.46A 15W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.39 A，... | ||||||
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VN88AFD | Vishay/Siliconix | TO-220SD | MOSFET 80V 1.29A 15W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：1.29 A，... | ||||||
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