Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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VP0300B-E3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 30V 3A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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VP0300L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 30V 0.32A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.32 A，... | ||||||
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VP0300LS | Vishay/Siliconix | TO-92S-3 | MOSFET 30V 0.5A 0.9W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.5 A，电... | ||||||
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VP0610L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.18A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.18 A，... | ||||||
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VP0610T | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 60V 0.12A 0.36W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.12 A，... | ||||||
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VP0808B | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 80V 3A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 80 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
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VP0808B-E3 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 80V 3A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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VP0808L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 80V 0.28A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.28 A，... | ||||||
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VP1008B | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 100V 5 OHM | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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VP1008L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 100V 5 OHM | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.28 A... | ||||||
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VP2020L | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 200V 0.12A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 0.... | ||||||
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VP2410L | Vishay/Siliconix | TO-226AA | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 240 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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VN2010L | Vishay/Siliconix | TO-226AA | MOSFET 200V 0.19A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.19 A... | ||||||
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VN3515L | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 350V 0.015A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：350 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.15 A... | ||||||
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VN50300L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 500V 0.33A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.033 ... | ||||||
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VN50300T | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 500V 0.33A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.022 ... | ||||||
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VN46AFD | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，工厂包装数量：50，... | ||||||
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VN4012L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 400V 0.16A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.16 A... | ||||||
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VN1206L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 120V 0.23A 0.6W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.23 A... | ||||||
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VN2222L | Vishay/Siliconix | TO-226AA-3 | MOSFET 60V 0.23A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：- 0.3 V, 15 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
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