Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SUD50P06-15L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 50A 136W 15mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUD50P08-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 404 | MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P08-26-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 80V 50A 136W 26mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P10-43-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,844 | MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD54P04-23-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V 23mohm @ 10V | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2000，... | ||||||
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VQ1000J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 60V 0.225A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.225 A... | ||||||
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VQ1000P | Vishay/Siliconix | TO-226AA-14 | MOSFET QD 60V 0.225A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1000P-E3 | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET N-CH 60V 0.225A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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VQ1001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 30V 0.83A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.83 A，... | ||||||
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VQ1001P | Vishay/Siliconix | 14-DIP | MOSFET QD 30V 0.53A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1004J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 60V 0.46A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.46 A，... | ||||||
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VQ1004P | Vishay/Siliconix | - | MOSFET QD 60V 0.46A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1006P | Vishay/Siliconix | 14-DIP | MOSFET 90V QUAD N-CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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VQ2001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET Quad 30V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.6 A，电... | ||||||
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VQ2001P | Vishay/Siliconix | - | MOSFET Quad 30V 0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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VQ2004J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET Quad 60V 0.41A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.41 ... | ||||||
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VQ3001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET 30V 0.85/0.6A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0... | ||||||
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VQ3001P | Vishay/Siliconix | SBCDIP-14 | MOSFET DUAL N & P CH 30V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电... | ||||||
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VP0300B | Vishay/Siliconix | TO-205AD | MOSFET 30V 3A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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