Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFU120PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 1,750 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU1N60A | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFU1N60APBF | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFU210 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU210PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 11,996 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU214 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU214PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 4,753 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU220 | Vishay/Siliconix | IPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU220PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU224 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU224PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU310 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU310PBF | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU320 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU320PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 1,279 | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU420 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU420A | Vishay/Siliconix | IPAK | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFU420APBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFU420PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 455 | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU430A | Vishay/Siliconix | IPAK | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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