Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR320TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR320TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR320TRLPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR320TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,340 | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR320TRR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR320TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420A | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR420APBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 6,297 | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR420ATRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR420ATRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 8,869 | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR420PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 117 | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,943 | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 144 | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR420TRRPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR430A | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR430APBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,997 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR430ATR | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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