Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFPC60LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 417 | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPC60PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 474 | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFPE30 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPE30PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPE40 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPE40PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 1,335 | MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPE50 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 800V 7.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPE50PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 933 | MOSFET N-Chan 800V 7.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPF30 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPF30PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPF40 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 900V 4.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPF40PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | 496 | MOSFET N-Chan 900V 4.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPF50 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 900V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPF50PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 900V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFPG30 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 1000V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFPG30PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 471 | MOSFET N-Chan 1000V 3.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFPG40 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFPG40PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | 329 | MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
IRFPG50 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFPG50PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
206/219 首页 上页 [201] [202] [203] [204] [205] [206] [207] [208] [209] [210] [211] 下页 尾页
