Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIZ24GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,000 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ34G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 20 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ34GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,533 | MOSFET N-Chan 60V 20 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
IRFIZ44G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ44GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ48G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 60V 37 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ48GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,260 | MOSFET N-Chan 60V 37 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
IRFL014 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
IRFL014PBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFL014TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFL014TRPBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | 4,978 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFL110 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL110PBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL110TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 13,596 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL210 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL210PBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL210TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL210TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 9,363 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFL214 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
200/219 首页 上页 [195] [196] [197] [198] [199] [200] [201] [202] [203] [204] [205] 下页 尾页
