Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIB8N50KPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC20G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFIBC20GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 26 | MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC30G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC30GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC40G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC40GLC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC40GLCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBC40GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,381 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBE20G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBE20GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 38 | MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBE30G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBE30GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,900 | MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBF20G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBF30G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIBF30GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFIZ14G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ14GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 4,000 | MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFIZ24G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
199/219 首页 上页 [194] [195] [196] [197] [198] [199] [200] [201] [202] [203] [204] 下页 尾页
