Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFI9630GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 2,088 | MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9634G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9634GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 3,026 | MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9640G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET P-Chan 200V 6.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9640GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 2,397 | MOSFET P-Chan 200V 6.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9Z14G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z14GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,197 | MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z24G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z24GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z34G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 12 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z34GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 915 | MOSFET P-Chan 60V 12 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFIB5N50LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB5N65A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB5N65APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 968 | MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB6N60A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB6N60APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB7N50A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB7N50APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 944 | MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB7N50LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB8N50K | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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