Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFD9110 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9113 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，漏极连续电流：- 0.6 A，电阻... | ||||||
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IRFD9120 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9123 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFD9123PBF | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET 60 Volt 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IRFD9210 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9220 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 200V 0.56 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFDC20 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI510G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI510GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,992 | MOSFET N-Chan 100V 4.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI520G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI520GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,085 | MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI530G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI530GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI540G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI540GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 8,815 | MOSFET N-Chan 100V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI614G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI614GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 896 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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