Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFBG20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFBG30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFBG30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 13,237 | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFD010 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：1.7 A，配置：Sin... | ||||||
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IRFD014 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD020 | Vishay/Siliconix | HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD024 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD113 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFD123 | Vishay/Siliconix | HexDIP-4 | MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD210 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD213 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFD214 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD220 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD310 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD320 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD420 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9010 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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IRFD9014 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9020 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9024 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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